单晶硅气相沉积主要用到哪些气体
作为半导体工业中的重要分支之一,在使用单晶硅或多晶硅制造芯片时,化学气相沉积CVD是其中极其重要的一道工序,它是是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。那么单晶硅气相沉积主要用到哪些气体呢?一般而言,使用化学气相沉积法外延单(多)晶硅薄膜时主要的硅源气体包括硅烷SiH4、二氯硅烷SiH2Cl2、三氯硅烷SiHCl3和四氯化硅SiCl4等,而在现场安装使用气相外延CVD有害气体报警器就是为了对这些气体泄漏浓度进行监测,避免发生危险。